Продукція > ONSEMI > NXH75M65L4Q1PTG
NXH75M65L4Q1PTG

NXH75M65L4Q1PTG onsemi

nxh75m65l4q1sg-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT MODULE 650V 59A 86W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4754.83 грн
21+3469.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH75M65L4Q1PTG onsemi

Description: IGBT MODULE 650V 59A 86W 53-PIM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47), IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 59 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 86 W, Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V.

Інші пропозиції NXH75M65L4Q1PTG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NXH75M65L4Q1PTG Виробник : ON Semiconductor nxh75m65l4q1sg-d.pdf IGBT Module, H6.5 Topology
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1PTG Виробник : onsemi NXH75M65L4Q1SG-D.PDF IGBT Modules 6KW H65 75A Q1PACK PRESS-FIT PIN WITH TCP7000
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.