NXH75M65L4Q1SG onsemi
Виробник: onsemiDescription: Q1PACK 75A 650V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4869.6 грн |
| 21+ | 4249.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH75M65L4Q1SG onsemi
Description: Q1PACK 75A 650V, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: 56-PIM (93x47), IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 59 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 86 W, Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V.
Інші пропозиції NXH75M65L4Q1SG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NXH75M65L4Q1SG | Виробник : ON Semiconductor |
IGBT Module, H6.5 Topology, 650 V, 75 A IGBT, 650 V, 50 A Diode Solder pins |
товар відсутній |
||
| NXH75M65L4Q1SG | Виробник : onsemi |
IGBT Modules Q1PACK 75A 650V |
товар відсутній |