Продукція > ONSEMI > NXH800H120L7QDSG
NXH800H120L7QDSG

NXH800H120L7QDSG onsemi


nxh800h120l7qdsg-d.pdf Виробник: onsemi
Description: 1200V 800A QDUAL3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 800A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 11-PIM (152x62.15)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 94300 pF @ 25 V
на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14703.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH800H120L7QDSG onsemi

Description: 1200V 800A QDUAL3, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 800A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: 11-PIM (152x62.15), IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 800 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 94300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NXH800H120L7QDSG за ціною від 15787.86 грн до 18792.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NXH800H120L7QDSG NXH800H120L7QDSG Виробник : onsemi NXH800H120L7QDSG-D.PDF IGBT Modules 1200V 800A QDUAL3
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18792.88 грн
10+15787.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800H120L7QDSG Виробник : ON Semiconductor nxh800h120l7qdsg-d.pdf NXH800H120L7QDSG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800H120L7QDSG Виробник : ONSEMI nxh800h120l7qdsg-d.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge,NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 800A
Case: PIM11
Application: for UPS; Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.6kA
Mechanical mounting: screw
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.