Продукція > ONSEMI > NXH80B120MNQ0SNG
NXH80B120MNQ0SNG

NXH80B120MNQ0SNG onsemi

nxh80b120mnq0-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET Modules 50KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSFET
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+4902.53 грн
10+4133.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH80B120MNQ0SNG onsemi

Description: ONSEMI - NXH80B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NXH80B120MNQ0SNG за ціною від 3777.18 грн до 5349.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NXH80B120MNQ0SNG onsemi nxh80b120mnq0-d.pdf Description: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 69 W
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5136.59 грн
24+3777.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120MNQ0SNG ONSEMI NXH80B120MNQ0-D.PDF Description: ONSEMI - NXH80B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5349.86 грн
5+5009.43 грн
10+4669.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120MNQ0SNG nxh80b120mnq0-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 69 W
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+5136.59 грн
24+3777.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120MNQ0SNG NXH80B120MNQ0-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH80B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+5349.86 грн
5+5009.43 грн
10+4669.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.