Продукція > ONSEMI > NXH80T120L2Q0S2G
NXH80T120L2Q0S2G

NXH80T120L2Q0S2G ONSEMI

2578425.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH80T120L2Q0S2G - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
Dauer-Kollektorstrom: 67A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35V
Verlustleistung Pd: 158mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158mW
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 67A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4872.26 грн
5+4239.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH80T120L2Q0S2G ONSEMI

Description: ONSEMI - NXH80T120L2Q0S2G - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V, Dauer-Kollektorstrom: 67A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35V, Verlustleistung Pd: 158mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158mW, Bauform - Transistor: PIM, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 67A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NXH80T120L2Q0S2G за ціною від 3781.77 грн до 5341.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NXH80T120L2Q0S2G Виробник : onsemi nxh80t120l2q0s2g-d.pdf Description: PIM 1200V 80A TNPC STAND
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19400 pF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4114.74 грн
24+3781.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2G Виробник : onsemi NXH80T120L2Q0S2G_D-1224412.pdf IGBT Modules PIM 1200V, 80A TNPC STANDARD PINOUT
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5341.15 грн
10+4867.32 грн
24+4069.53 грн
48+3989.53 грн
120+3910.27 грн
264+3846.42 грн
504+3812.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2G Виробник : ON Semiconductor nxh80t120l2q0s2g-d.pdf
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2G NXH80T120L2Q0S2G Виробник : ON Semiconductor nxh80t120l2q0s2g-d.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 67A 158000mW 20-Pin Q0PACK Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.