NXH80T120L3Q0S3G onsemi
Виробник: onsemiDescription: PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.15 nF @ 20 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5979.59 грн |
| 24+ | 4539.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH80T120L3Q0S3G onsemi
Description: ONSEMI - NXH80T120L3Q0S3G - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 75A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötstift, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 188W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EliteSiC Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NXH80T120L3Q0S3G за ціною від 4373.35 грн до 6410.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NXH80T120L3Q0S3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH80T120L3Q0S3G - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 75A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötstift Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 188W euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EliteSiC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| NXH80T120L3Q0S3G | Виробник : onsemi |
IGBT Modules Power Integrated Module (PIM), T-Type NPC 1200 V, 80 A IGBT, 600 V, 50 A IGBT Solder pins |
на замовлення 24 шт: термін постачання 112-121 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
NXH80T120L3Q0S3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A/75A/50A/50A 188W Tray |
товару немає в наявності |