NXPSC046506Q WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 211.94 грн |
| 50+ | 110.78 грн |
| 100+ | 101.16 грн |
| 500+ | 78.87 грн |
| 1000+ | 74.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXPSC046506Q WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 4A, Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns.
Інші пропозиції NXPSC046506Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
NXPSC046506Q | WeEn Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
на замовлення 2886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NXPSC046506Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



