NXPSC046506Q WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.91 грн |
| 10+ | 129.44 грн |
| 100+ | 89.75 грн |
| 500+ | 74.30 грн |
| 1000+ | 61.72 грн |
| 2000+ | 59.66 грн |
| 5000+ | 57.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXPSC046506Q WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V.
Інші пропозиції NXPSC046506Q за ціною від 75.42 грн до 215.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXPSC046506Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V |
на замовлення 20200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NXPSC046506Q | Виробник : Nexperia |
NXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
NXPSC046506Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward impulse current: 24A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NXPSC046506Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward impulse current: 24A Kind of package: tube |
товару немає в наявності |