
NXPSC046506Q WeEn Semiconductors

Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 145.56 грн |
10+ | 129.13 грн |
100+ | 89.54 грн |
500+ | 74.12 грн |
1000+ | 61.57 грн |
2000+ | 59.52 грн |
5000+ | 57.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXPSC046506Q WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V.
Інші пропозиції NXPSC046506Q за ціною від 75.24 грн до 215.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NXPSC046506Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V |
на замовлення 20200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
NXPSC046506Q | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
NXPSC046506Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |