NXPSC04650Q WEEN SEMICONDUCTORS
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 202.93 грн |
| 10+ | 142.77 грн |
| 100+ | 106.85 грн |
| 500+ | 88.38 грн |
| 1000+ | 74.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXPSC04650Q WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-220AC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Kapazitive Gesamtladung: -, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції NXPSC04650Q за ціною від 76.04 грн до 161.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NXPSC04650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
NXPSC04650Q THT Schottky diodes |
на замовлення 25 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
NXPSC04650Q | Виробник : Ween |
Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
NXPSC04650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
NXPSC04650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode |
товару немає в наявності |