Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > NXPSC04650Q
NXPSC04650Q

NXPSC04650Q WeEn Semiconductors

NXPSC04650.pdf _ween_psg2020.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Mounting: THT
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+72.45 грн
7+60.55 грн
15+59.05 грн
25+56.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXPSC04650Q WeEn Semiconductors

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-220AC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Kapazitive Gesamtladung: -, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції NXPSC04650Q за ціною від 66.52 грн до 160.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NXPSC04650Q NXPSC04650Q Виробник : WeEn Semiconductors NXPSC04650.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Mounting: THT
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.94 грн
5+75.45 грн
15+70.86 грн
25+68.17 грн
41+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650Q NXPSC04650Q Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS nxpsc04650.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.20 грн
10+128.80 грн
100+98.21 грн
500+82.22 грн
1000+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650Q NXPSC04650Q Виробник : Ween nxpsc04650.pdf Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650Q NXPSC04650Q Виробник : WeEn Semiconductors nxpsc04650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650Q NXPSC04650Q Виробник : WeEn Semiconductors NXPSC04650-1499426.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.