NXPSC04650Q WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Mounting: THT
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 74.10 грн |
| 7+ | 61.92 грн |
| 15+ | 60.39 грн |
| 25+ | 58.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXPSC04650Q WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-220AC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Kapazitive Gesamtladung: -, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції NXPSC04650Q за ціною від 68.03 грн до 163.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NXPSC04650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V Mounting: THT Case: TO220AC Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 8A Max. forward voltage: 1.5V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 24A Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NXPSC04650Q | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-220AC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: - rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NXPSC04650Q | Виробник : Ween |
Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
NXPSC04650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
NXPSC04650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode |
товару немає в наявності |