NXPSC04650X6Q WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 251.23 грн |
| 50+ | 121.52 грн |
| 100+ | 109.85 грн |
| 500+ | 83.90 грн |
| 1000+ | 77.73 грн |
| 2000+ | 72.55 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXPSC04650X6Q WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-220F, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Last Time Buy, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V.
Інші пропозиції NXPSC04650X6Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NXPSC04650X6Q | WeEn Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650X6/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
NXPSC04650X6Q | WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube Mounting: THT Max. forward impulse current: 24A Max. forward voltage: 1.7V Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Type of diode: Schottky rectifying |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NXPSC04650X6Q |
|
Виробник: WeEn Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650X6/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650X6/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NXPSC04650X6Q |
|
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 24A
Max. forward voltage: 1.7V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Type of diode: Schottky rectifying
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 24A
Max. forward voltage: 1.7V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.