
NXPSC066506Q WeEn Semiconductors

Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 292.17 грн |
10+ | 252.90 грн |
100+ | 207.20 грн |
500+ | 165.54 грн |
1000+ | 139.61 грн |
2000+ | 132.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXPSC066506Q WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції NXPSC066506Q
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NXPSC066506Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Case: TO220AC Load current: 6A Max. forward impulse current: 36A Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NXPSC066506Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NXPSC066506Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Case: TO220AC Load current: 6A Max. forward impulse current: 36A Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube |
товару немає в наявності |