Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > NXPSC066506Q
NXPSC066506Q

NXPSC066506Q WeEn Semiconductors

nxpsc06650.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.24 грн
10+242.57 грн
100+198.74 грн
500+158.78 грн
1000+133.91 грн
2000+127.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXPSC066506Q WeEn Semiconductors

Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

Інші пропозиції NXPSC066506Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NXPSC066506Q Виробник : WeEn Semiconductors nxpsc06650.pdf NXPSC066506Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC066506Q NXPSC066506Q Виробник : WeEn Semiconductors NXPSC06650-1499456.pdf Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC066506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.