Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > NXPSC066506Q

NXPSC066506Q WeEn Semiconductors

Name: NXPSC066506Q
Brand: WeEn Semiconductors
SKU: 12526365-3
Price: 555.04 UAH
Availability: InStock

Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	277.52 грн
10+	240.21 грн
100+	196.81 грн
500+	157.24 грн
1000+	132.61 грн
2000+	125.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NXPSC066506Q WeEn Semiconductors

Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

Інші пропозиції NXPSC066506Q

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	NXPSC066506Q	Виробник : WeEn Semiconductors	Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC066506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	NXPSC066506Q	Виробник : WeEn Semiconductors	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; Ufmax: 1.7V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 36A Kind of package: tube	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.