Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > NXPSC086506Q

NXPSC086506Q WeEn Semiconductors

Name: NXPSC086506Q
Brand: WeEn Semiconductors
SKU: 12526367-3
Price: 348.61 UAH
Availability: InStock

Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	348.61 грн
10+	281.89 грн
100+	228.08 грн
500+	190.26 грн
1000+	162.91 грн
2000+	153.40 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NXPSC086506Q WeEn Semiconductors

Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V.

Інші пропозиції NXPSC086506Q

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	NXPSC086506Q	Виробник : WeEn Semiconductors	Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC086506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	NXPSC086506Q	Виробник : WeEn Semiconductors	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220AC Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 48A Kind of package: tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.