NXPSC08650BJ WEEN SEMICONDUCTORS
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC08650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 341.34 грн |
| 10+ | 262.32 грн |
| 100+ | 212.62 грн |
| 500+ | 177.77 грн |
| 1000+ | 160.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXPSC08650BJ WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC08650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: -, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції NXPSC08650BJ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NXPSC08650BJ | WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NXPSC08650BJ | WeEn Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650B/D2PAK/STANDARD M |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3200 шт В кошику од. на суму грн. |
| NXPSC08650BJ |
|
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NXPSC08650BJ |
|
Виробник: WeEn Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650B/D2PAK/STANDARD M
Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику
од. на суму грн.