NXPSC08650D6J WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 161.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXPSC08650D6J WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V.
Інші пропозиції NXPSC08650D6J за ціною від 154.97 грн до 331.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NXPSC08650D6J | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V |
на замовлення 7184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NXPSC08650D6J | Виробник : WeEn Semiconductors |
NXPSC08650D6J SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
NXPSC08650D6J | Виробник : WeEn Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650D6/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD |
товару немає в наявності |