Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > NXPSC10650Q
NXPSC10650Q

NXPSC10650Q WeEn Semiconductors

nxpsc10650.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+355.86 грн
10+ 287.88 грн
100+ 232.9 грн
500+ 194.28 грн
1000+ 166.36 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXPSC10650Q WeEn Semiconductors

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Discontinued at Digi-Key, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V.

Інші пропозиції NXPSC10650Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NXPSC10650Q NXPSC10650Q Виробник : WeEn Semiconductors NXPSC10650-1499449.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode
товар відсутній