NXPSC126506Q WEEN SEMICONDUCTORS
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC126506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 376.94 грн |
| 10+ | 288.70 грн |
| 100+ | 199.61 грн |
| 500+ | 168.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXPSC126506Q WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC126506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220AC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Kapazitive Gesamtladung: 18nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції NXPSC126506Q за ціною від 256.39 грн до 470.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXPSC126506Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NXPSC126506Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC12650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
NXPSC126506Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward impulse current: 72A Kind of package: tube |
товару немає в наявності |