NXPSC126506Q WEEN SEMICONDUCTORS
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC126506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 282.69 грн |
| 10+ | 217.51 грн |
| 100+ | 175.97 грн |
| 500+ | 146.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXPSC126506Q WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC126506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220AC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Kapazitive Gesamtladung: 18nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції NXPSC126506Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NXPSC126506Q | WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NXPSC126506Q | WeEn Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC12650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
NXPSC126506Q | WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 72A Kind of package: tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NXPSC126506Q |
|
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NXPSC126506Q |
|
Виробник: WeEn Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC12650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC12650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NXPSC126506Q |
|
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 72A
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 72A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.