NXPSC20650W-AQ WeEn Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 538.91 грн |
| 10+ | 503.89 грн |
| 100+ | 437.46 грн |
| 480+ | 352.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXPSC20650W-AQ WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC20650W-AQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 16 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 16nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції NXPSC20650W-AQ за ціною від 359.54 грн до 569.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXPSC20650W-AQ | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
 Description: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC20650W-AQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 16 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
NXPSC20650W-AQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
NXPSC20650W-AQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 2.1V Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 50A Kind of package: tube Application: automotive industry |
товару немає в наявності |