NXV04V120DB1 ON Semiconductor
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 1416.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXV04V120DB1 ON Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 40V; 160A; APM19-CBC; THT; Ugs: ±20V, Mechanical mounting: screw, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Kind of package: tube, Electrical mounting: THT, Semiconductor structure: transistor/transistor, On-state resistance: 2.7mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 160A, Case: APM19-CBC, Topology: MOSFET three-phase bridge.
Інші пропозиції NXV04V120DB1 за ціною від 1234.02 грн до 2195.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXV04V120DB1 | Виробник : onsemi |
 MOSFET Modules APM19 3-Phase |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
NXV04V120DB1 | Виробник : onsemi |
Description: 3-PHASE INVERTER AUTOMOTI Packaging: Tube Package / Case: 19-PowerDIP Module (1.480", 37.60mm) Mounting Type: Through Hole Type: MOSFET Configuration: 3 Phase Inverter Voltage - Isolation: 2500Vrms Grade: Automotive Current: 160 A Voltage: 40 V |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| NXV04V120DB1 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 425 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
 |
NXV04V120DB1 | Виробник : ON Semiconductor |
Power MOSFET Module Automotive 19-Pin APM-CBC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
NXV04V120DB1 | Виробник : ON Semiconductor |
Power MOSFET Module Automotive AEC-Q100 19-Pin APM-CBC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| NXV04V120DB1 | Виробник : ONSEMI |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 40V; 160A; APM19-CBC; THT; Ugs: ±20V Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Kind of package: tube Electrical mounting: THT Semiconductor structure: transistor/transistor On-state resistance: 2.7mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 160A Case: APM19-CBC Topology: MOSFET three-phase bridge |
товару немає в наявності |