Продукція > ONSEMI > NXV08A170DB2
NXV08A170DB2

NXV08A170DB2 onsemi

nxv08a170db2-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA
Packaging: Tray
Package / Case: 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: APM12-CBA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1508.39 грн
10+1040.16 грн
25+931.42 грн
80+774.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXV08A170DB2 onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA, Packaging: Tray, Package / Case: 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm), Mounting Type: Through Hole, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: APM12-CBA, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.

Інші пропозиції NXV08A170DB2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NXV08A170DB2 Виробник : ON Semiconductor nxv08a170db2-d.pdf Single Phase Inverter Automotive Power MOSFET Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08A170DB2 Виробник : onsemi NXV08A170DB2_D-3247251.pdf Discrete Semiconductor Modules APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF BRIDGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.