Продукція > ONSEMI > NXV08A170DB2

NXV08A170DB2 onsemi

Name: NXV08A170DB2
Brand: onsemi
SKU: 40477802-3
Price: 1569.57 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA
Packaging: Tray
Package / Case: 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: APM12-CBA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	1569.57 грн
10+	1082.35 грн
25+	969.20 грн
80+	805.49 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NXV08A170DB2 onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA, Packaging: Tray, Package / Case: 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm), Mounting Type: Through Hole, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: APM12-CBA, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.

Інші пропозиції NXV08A170DB2

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NXV08A170DB2	Виробник : ON Semiconductor	Single Phase Inverter Automotive Power MOSFET Module	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NXV08A170DB2	Виробник : onsemi	Discrete Semiconductor Modules APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF BRIDGE	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NXV08A170DB2	Виробник : ONSEMI	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 80V; 200A; APM12-CBA; THT; Ugs: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 200A Case: APM12-CBA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Kind of package: in-tray Type of semiconductor module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: THT Topology: MOSFET half-bridge Semiconductor structure: transistor/transistor	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.