Продукція > ONSEMI > NXV08H300DT1
NXV08H300DT1

NXV08H300DT1 onsemi

NXV08H300DT1_D-3326443.pdf Виробник: onsemi
MOSFET Modules Dual Half Bridge Automotive Power MOSFET Module, APM17
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5422.71 грн
10+5044.06 грн
40+4090.39 грн
120+4009.47 грн
280+3944.73 грн
520+3909.41 грн
1000+3908.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXV08H300DT1 onsemi

Description: APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA, Packaging: Tube, Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm), Mounting Type: Through Hole, Configuration: 4 N-Channel, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30150pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.580mOhm @ 160A, 12V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 502nC @ 12V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA, Supplier Device Package: APM17-MDC, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NXV08H300DT1 за ціною від 4664.24 грн до 4664.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NXV08H300DT1 Виробник : onsemi nxv08h300dt1-d.pdf Description: APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA
Packaging: Tube
Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30150pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.580mOhm @ 160A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 502nC @ 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: APM17-MDC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+4664.24 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NXV08H300DT1 Виробник : ON Semiconductor nxv08h300dt1-d.pdf Dual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.