на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5867.62 грн |
| 10+ | 5241.70 грн |
| 30+ | 4400.62 грн |
| 50+ | 4046.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXV08H350XT1 onsemi
Description: MOSFET 80V APM17-MDC, Packaging: Bulk, Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24350pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.762mOhm @ 160A, 12V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA, Supplier Device Package: APM17-MDC, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NXV08H350XT1 за ціною від 4000.33 грн до 5970.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NXV08H350XT1 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 80V APM17-MDCPackaging: Bulk Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24350pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.762mOhm @ 160A, 12V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA Supplier Device Package: APM17-MDC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| NXV08H350XT1 | Виробник : ON Semiconductor |
Dual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE |
товару немає в наявності |