NXV10V125DT1 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 21-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 6 N-Channel (Three Phase Inverter)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: APM21-CGA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2070.88 грн |
| 10+ | 1611.08 грн |
| 44+ | 1467.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXV10V125DT1 onsemi
Description: MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: 21-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm), Mounting Type: Through Hole, Configuration: 6 N-Channel (Three Phase Inverter), Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 12V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: APM21-CGA, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NXV10V125DT1 за ціною від 1422.23 грн до 2271.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXV10V125DT1 | Виробник : onsemi |
MOSFET Modules 3-PHASE AUTOMOTIVE POWER MOSFET MODULE APM21 |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|