Продукція > ONSEMI > NXV10V160ST1
NXV10V160ST1

NXV10V160ST1 onsemi

nxv10v160st1-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET Modules 3-PHASE AUTOMOTIVE POWER MOSFET MODULE APM21
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3729.94 грн
11+3276.24 грн
22+2681.16 грн
110+2299.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXV10V160ST1 onsemi

Description: MOSFET 6N-CH 100V APM21-CGA, Packaging: Tube, Package / Case: 21-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm), Mounting Type: Through Hole, Configuration: 6 N-Channel, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970pF @ 50V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: APM21-CGA.

Інші пропозиції NXV10V160ST1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NXV10V160ST1 NXV10V160ST1 onsemi nxv10v160st1-d.pdf Description: MOSFET 6N-CH 100V APM21-CGA
Packaging: Tube
Package / Case: 21-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 6 N-Channel
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: APM21-CGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXV10V160ST1 nxv10v160st1-d.pdf
NXV10V160ST1
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 6N-CH 100V APM21-CGA
Packaging: Tube
Package / Case: 21-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 6 N-Channel
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: APM21-CGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.