Продукція > ONSEMI > NXV65HR82DS1
NXV65HR82DS1

NXV65HR82DS1 ONSEMI

3191531.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV65HR82DS1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2434.44 грн
5+2143.49 грн
10+1851.70 грн
50+1449.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXV65HR82DS1 ONSEMI

Description: ONSEMI - NXV65HR82DS1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 126W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 126W, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NXV65HR82DS1 за ціною від 1944.34 грн до 2901.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NXV65HR82DS1 NXV65HR82DS1 Виробник : onsemi nxv65hr82d-d.pdf MOSFETs APM16-CAA SF3 650V 82MOHM CAP AL2O3 Y-FORMING H-BRIDGE
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2639.44 грн
12+1944.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS1 NXV65HR82DS1 Виробник : onsemi nxv65hr82d-d.pdf Description: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2901.24 грн
10+2576.47 грн
25+2460.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS1 NXV65HR82DS1 Виробник : ON Semiconductor nxv65hr82d-d.pdf H Bridge Power Module For On Board Charger
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.