NXV65HR82DS2 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET IPM 650V 26A 16-SSIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Grade: Automotive
Current: 26 A
Voltage: 650 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2381.96 грн |
| 10+ | 1862.63 грн |
| 72+ | 1660.88 грн |
| 144+ | 1513.47 грн |
| 288+ | 1476.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXV65HR82DS2 onsemi
Description: MOSFET IPM 650V 26A 16-SSIP, Packaging: Tube, Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Type: MOSFET, Configuration: H-Bridge, Voltage - Isolation: 5000Vrms, Grade: Automotive, Current: 26 A, Voltage: 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NXV65HR82DS2 за ціною від 1528.77 грн до 2479.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NXV65HR82DS2 | onsemi |
MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| NXV65HR82DS2 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2479.22 грн |
| 12+ | 1770.24 грн |
| 108+ | 1528.77 грн |

