Продукція > ONSEMI > NXV65HR82DS2

NXV65HR82DS2 onsemi


nxv65hr82d-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET IPM 650V 26A 16-SSIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Grade: Automotive
Current: 26 A
Voltage: 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2381.96 грн
10+1862.63 грн
72+1660.88 грн
144+1513.47 грн
288+1476.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXV65HR82DS2 onsemi

Description: MOSFET IPM 650V 26A 16-SSIP, Packaging: Tube, Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Type: MOSFET, Configuration: H-Bridge, Voltage - Isolation: 5000Vrms, Grade: Automotive, Current: 26 A, Voltage: 650 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NXV65HR82DS2 за ціною від 1528.77 грн до 2479.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NXV65HR82DS2 NXV65HR82DS2 onsemi nxv65hr82d-d.pdf MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2479.22 грн
12+1770.24 грн
108+1528.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DS2 nxv65hr82d-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2479.22 грн
12+1770.24 грн
108+1528.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.