Продукція > ONSEMI > NXV65HR82DZ2
NXV65HR82DZ2

NXV65HR82DZ2 onsemi


4374D8ED1A005AB8FC0F468CDDF00D55C973B408D3223D8EFFEAE644125FB14C.pdf Виробник: onsemi
MOSFETs APM16-CAB SF3 650V 82MOHM AL2O3 L-FORMING H-BRIDGE
на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1716.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXV65HR82DZ2 onsemi

Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 126W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 126W, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NXV65HR82DZ2 за ціною від 1397.29 грн до 2677.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NXV65HR82DZ2 NXV65HR82DZ2 Виробник : ONSEMI 3191531.pdf Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1728.70 грн
5+1654.06 грн
10+1579.41 грн
50+1397.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65HR82DZ2 NXV65HR82DZ2 Виробник : onsemi nxv65hr82d-d.pdf Description: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2677.94 грн
10+2378.06 грн
25+2271.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.