NXV65UPR Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 10 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.03 грн |
| 6000+ | 3.51 грн |
| 9000+ | 3.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXV65UPR Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 340mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NXV65UPR за ціною від 3.44 грн до 29.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXV65UPR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 340mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NXV65UPR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NXV65UP/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 10 V |
на замовлення 45805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NXV65UPR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NXV65UPR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -8.4A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.3A Pulsed drain current: -8.4A Power dissipation: 0.34W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: Trench Gate charge: 5.8nC |
на замовлення 2672 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NXV65UPR | Виробник : Nexperia |
MOSFETs NXV65UP/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 9819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NXV65UPR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -8.4A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.3A Pulsed drain current: -8.4A Power dissipation: 0.34W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: Trench Gate charge: 5.8nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2672 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NXV65UPR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NXV65UPR | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |