Продукція > NEXPERIA USA INC. > NXV65UPR
NXV65UPR

NXV65UPR Nexperia USA Inc.

NXV65UP.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 10 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.78 грн
6000+3.29 грн
9000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXV65UPR Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 340mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NXV65UPR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NXV65UPR NXV65UPR NEXPERIA 3175799.pdf Description: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.48 грн
500+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPR NXV65UPR Nexperia USA Inc. NXV65UP.pdf Description: NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 45805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.86 грн
29+10.47 грн
100+6.59 грн
500+4.59 грн
1000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPR NXV65UPR Nexperia NXV65UP-1948334.pdf MOSFETs NXV65UP/SOT23/TO-236AB
на замовлення 9819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.47 грн
21+15.40 грн
100+5.59 грн
1000+4.14 грн
3000+3.24 грн
9000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPR NXV65UPR NEXPERIA 3175799.pdf Description: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.61 грн
50+27.63 грн
100+17.48 грн
500+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPR 3175799.pdf
NXV65UPR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+17.48 грн
500+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPR NXV65UP.pdf
NXV65UPR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 45805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+17.86 грн
29+10.47 грн
100+6.59 грн
500+4.59 грн
1000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPR NXV65UP-1948334.pdf
NXV65UPR
Виробник: Nexperia
MOSFETs NXV65UP/SOT23/TO-236AB
на замовлення 9819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
15+22.47 грн
21+15.40 грн
100+5.59 грн
1000+4.14 грн
3000+3.24 грн
9000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXV65UPR 3175799.pdf
NXV65UPR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+42.61 грн
50+27.63 грн
100+17.48 грн
500+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.