NZT560A ON Semiconductor
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 15.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NZT560A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: 75MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NZT560A за ціною від 13.76 грн до 72.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NZT560A | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NZT560A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NZT560A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NZT560A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NZT560A | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Power dissipation: 1W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 250...550 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 75MHz |
на замовлення 3703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NZT560A | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Power dissipation: 1W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 250...550 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 75MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3703 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NZT560A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 3A Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NZT560A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NZT560A | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 7650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NZT560A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
NZT560A | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Low Saturation |
товару немає в наявності |