NZT660 ON Semiconductor
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 16.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NZT660 ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 75MHz, Supplier Device Package: SOT-223-4, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції NZT660 за ціною від 12.16 грн до 66.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NZT660 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NZT660 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 17686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NZT660 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NZT660 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 38510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NZT660 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NZT660 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223-4Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: SOT-223-4 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 44519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NZT660 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NZT660 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223-4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: SOT-223-4 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 2607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NZT660 | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low Saturation |
на замовлення 5443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NZT660 Код товару: 164074
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
NZT660 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NZT660 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
NZT660 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: SOT-223-4 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NZT660 | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Power dissipation: 2W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 75MHz |
товару немає в наявності |



