Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NZT660
NZT660

NZT660 ON Semiconductor

nzt660a-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NZT660 ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 75MHz, Supplier Device Package: SOT-223-4, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції NZT660 за ціною від 12.04 грн до 65.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NZT660 NZT660 Виробник : Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000083804-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3A, 60
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1609+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 1609
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660 NZT660 Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660 NZT660 Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1969+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 1969
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660 NZT660 Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1969+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 1969
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660 NZT660 Виробник : FAIRCHILD nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1969+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 1969
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660 NZT660 Виробник : FAIRCHILD nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 38510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1969+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 1969
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660 NZT660 Виробник : FAIRCHILD nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1969+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 1969
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660 NZT660 Виробник : onsemi / Fairchild NZT660A_D-2319592.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low Saturation
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.29 грн
10+33.93 грн
100+20.62 грн
500+17.98 грн
1000+14.53 грн
4000+13.43 грн
8000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660 NZT660 Виробник : onsemi nzt660a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.10 грн
10+38.76 грн
100+25.10 грн
500+18.04 грн
1000+16.26 грн
2000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660
Код товару: 164074
Додати до обраних Обраний товар

nzt660a-d.pdf FAIR-S-A0000083804-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660 NZT660 Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660 NZT660 Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660 NZT660 Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660 NZT660 Виробник : onsemi nzt660a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.