OIS 330 880 X TD EPIGAP
Виробник: EPIGAP
Description: EPIGAP - OIS 330 880 X TD - Infrarot-Emitter, Hohe Lichtintensität, 880 nm, 40 °, 1206, 14 mW/Sr, 20 ns, 20 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: 1206
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Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 50mA
Produktpalette: -
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Anstiegszeit: 20ns
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Технічний опис OIS 330 880 X TD EPIGAP
Description: EPIGAP - OIS 330 880 X TD - Infrarot-Emitter, Hohe Lichtintensität, 880 nm, 40 °, 1206, 14 mW/Sr, 20 ns, 20 ns, tariffCode: 85414100, Bauform - Diode: 1206, Durchlassspannung Vf max.: 1.4V, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Abfallzeit tf: 20ns, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Spitzenwellenlänge: 880nm, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Strahlungsintensität (Ie): 14mW/Sr, Halbwertswinkel: 40°, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 50mA, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Anstiegszeit: 20ns, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції OIS 330 880 X TD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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OIS 330 880 X TD | EPIGAP |
Description: EPIGAP - OIS 330 880 X TD - Infrarot-Emitter, Hohe Lichtintensität, 880 nm, 40 °, 1206, 14 mW/Sr, 20 ns, 20 ns tariffCode: 85414100 Bauform - Diode: 1206 Durchlassspannung Vf max.: 1.4V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Abfallzeit tf: 20ns isCanonical: N usEccn: EAR99 Spitzenwellenlänge: 880nm Betriebstemperatur, min.: -40°C Strahlungsintensität (Ie): 14mW/Sr Halbwertswinkel: 40° euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 50mA Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Anstiegszeit: 20ns SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| OIS 330 880 X TD |
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Виробник: EPIGAP
Description: EPIGAP - OIS 330 880 X TD - Infrarot-Emitter, Hohe Lichtintensität, 880 nm, 40 °, 1206, 14 mW/Sr, 20 ns, 20 ns
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Bauform - Diode: 1206
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Abfallzeit tf: 20ns
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Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 50mA
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Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anstiegszeit: 20ns
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: EPIGAP - OIS 330 880 X TD - Infrarot-Emitter, Hohe Lichtintensität, 880 nm, 40 °, 1206, 14 mW/Sr, 20 ns, 20 ns
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Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 50mA
Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anstiegszeit: 20ns
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)