Продукція > Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD > OIS 330 770

OIS 330 770

Код товару: 179532
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції OIS 330 770 за ціною від 59.43 грн до 118.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
OIS 330 770 OIS 330 770 EPIGAP 2648675.pdf Description: EPIGAP - OIS 330 770 - Infrarot-Emitter, Hohe Lichtintensität, 770 nm, 40 °, 1206, 7.1 mW/Sr, 40 ns, 40 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: 1206
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 40ns
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 770nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 7.1mW/Sr
Halbwertswinkel: 40°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anstiegszeit: 40ns
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.49 грн
500+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
OIS 330 770 OIS 330 770 EPIGAP 2648675.pdf Description: EPIGAP - OIS 330 770 - Infrarot-Emitter, Hohe Lichtintensität, 770 nm, 40 °, 1206, 7.1 mW/Sr, 40 ns, 40 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: 1206
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 40ns
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 770nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 7.1mW/Sr
Halbwertswinkel: 40°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anstiegszeit: 40ns
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.68 грн
10+93.48 грн
25+91.85 грн
50+79.25 грн
100+65.49 грн
500+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
OIS 330 770 2648675.pdf
OIS 330 770
Виробник: EPIGAP
Description: EPIGAP - OIS 330 770 - Infrarot-Emitter, Hohe Lichtintensität, 770 nm, 40 °, 1206, 7.1 mW/Sr, 40 ns, 40 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: 1206
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 40ns
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 770nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 7.1mW/Sr
Halbwertswinkel: 40°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anstiegszeit: 40ns
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+65.49 грн
500+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
OIS 330 770 2648675.pdf
OIS 330 770
Виробник: EPIGAP
Description: EPIGAP - OIS 330 770 - Infrarot-Emitter, Hohe Lichtintensität, 770 nm, 40 °, 1206, 7.1 mW/Sr, 40 ns, 40 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: 1206
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 40ns
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 770nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 7.1mW/Sr
Halbwertswinkel: 40°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anstiegszeit: 40ns
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+118.68 грн
10+93.48 грн
25+91.85 грн
50+79.25 грн
100+65.49 грн
500+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.