OIS 330 770
Код товару: 179532
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції OIS 330 770 за ціною від 59.61 грн до 119.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
OIS 330 770 | Виробник : EPIGAP |
 Description: EPIGAP - OIS 330 770 - Infrarot-Emitter, Hohe Lichtintensität, 770 nm, 40 °, 1206, 7.1 mW/Sr, 40 ns, 40 nstariffCode: 85414100 Bauform - Diode: 1206 Durchlassspannung Vf max.: 1.7V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Abfallzeit tf: 40ns isCanonical: N usEccn: EAR99 Spitzenwellenlänge: 770nm Betriebstemperatur, min.: -40°C Strahlungsintensität (Ie): 7.1mW/Sr Halbwertswinkel: 40° euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30mA Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Anstiegszeit: 40ns SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
OIS 330 770 | Виробник : EPIGAP |
Description: EPIGAP - OIS 330 770 - Infrarot-Emitter, Hohe Lichtintensität, 770 nm, 40 °, 1206, 7.1 mW/Sr, 40 ns, 40 ns tariffCode: 85414100 Bauform - Diode: 1206 Durchlassspannung Vf max.: 1.7V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Abfallzeit tf: 40ns isCanonical: Y usEccn: EAR99 Spitzenwellenlänge: 770nm Betriebstemperatur, min.: -40°C Strahlungsintensität (Ie): 7.1mW/Sr Halbwertswinkel: 40° euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30mA Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Anstiegszeit: 40ns SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|