Продукція > Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD > OIS 330 770

OIS 330 770

Код товару: 179532
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції OIS 330 770

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
OIS 330 770 OIS 330 770 EPIGAP Description: EPIGAP - OIS 330 770 - Infrarot-Emitter, Hohe Lichtintensität, 770 nm, 40 °, 1206, 7.1 mW/Sr, 40 ns, 40 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: 1206
euEccn: NLR
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 40ns
isCanonical: Y
Spitzenwellenlänge: 770nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 7.1mW/Sr
Halbwertswinkel: 40°
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anstiegszeit: 40ns
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
OIS 330 770 OIS 330 770 EPIGAP Description: EPIGAP - OIS 330 770 - Infrarot-Emitter, Hohe Lichtintensität, 770 nm, 40 °, 1206, 7.1 mW/Sr, 40 ns, 40 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: 1206
euEccn: NLR
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 40ns
isCanonical: N
Spitzenwellenlänge: 770nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 7.1mW/Sr
Halbwertswinkel: 40°
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anstiegszeit: 40ns
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
OIS 330 770
OIS 330 770
Виробник: EPIGAP
Description: EPIGAP - OIS 330 770 - Infrarot-Emitter, Hohe Lichtintensität, 770 nm, 40 °, 1206, 7.1 mW/Sr, 40 ns, 40 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: 1206
euEccn: NLR
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 40ns
isCanonical: Y
Spitzenwellenlänge: 770nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 7.1mW/Sr
Halbwertswinkel: 40°
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anstiegszeit: 40ns
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
OIS 330 770
OIS 330 770
Виробник: EPIGAP
Description: EPIGAP - OIS 330 770 - Infrarot-Emitter, Hohe Lichtintensität, 770 nm, 40 °, 1206, 7.1 mW/Sr, 40 ns, 40 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: 1206
euEccn: NLR
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 40ns
isCanonical: N
Spitzenwellenlänge: 770nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 7.1mW/Sr
Halbwertswinkel: 40°
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 30mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anstiegszeit: 40ns
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.