Продукція > SHINDENGEN > P10F50HP2-5600
P10F50HP2-5600

P10F50HP2-5600 SHINDENGEN


_Shindengen Catalogue 2020.pdf P10F50HP2.pdf Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 79W
Pulsed drain current: 40A
Technology: Hi-PotMOS2
на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.62 грн
7+67.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис P10F50HP2-5600 SHINDENGEN

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W, Case: FTO-220AG (SC91), Mounting: THT, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 10A, Gate charge: 20nC, On-state resistance: 0.75Ω, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 79W, Pulsed drain current: 40A, Technology: Hi-PotMOS2.

Інші пропозиції P10F50HP2-5600

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
P10F50HP2-5600 P10F50HP2-5600 Виробник : Shindengen shins04487-1.pdf MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.