P13F28HP2-5600 SHINDENGEN
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 13A; Idm: 52A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 280V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P13F28HP2-5600 SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 13A; Idm: 52A; 65W, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, Gate charge: 15nC, On-state resistance: 0.3Ω, Drain current: 13A, Pulsed drain current: 52A, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 65W, Drain-source voltage: 280V, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement, Case: FTO-220AG (SC91), Technology: Hi-PotMOS2.
Інші пропозиції P13F28HP2-5600
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| P13F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| P13F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.


