Продукція > SHINDENGEN > P13LA10EL-5070
P13LA10EL-5070

P13LA10EL-5070 Shindengen


Виробник: Shindengen
MOSFETs 100V, 13A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис P13LA10EL-5070 Shindengen

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 100V; 13A; Idm: 52A; 1.7W, Case: LA, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 52A, Power dissipation: 1.7W, Gate charge: 57nC, Polarisation: unipolar, Technology: EETMOS2, Drain current: 13A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 20mΩ.

Інші пропозиції P13LA10EL-5070

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
P13LA10EL-5070 SHINDENGEN _Shindengen Catalogue 2020.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 100V; 13A; Idm: 52A; 1.7W
Case: LA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 1.7W
Gate charge: 57nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS2
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P13LA10EL-5070 _Shindengen Catalogue 2020.pdf
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 100V; 13A; Idm: 52A; 1.7W
Case: LA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 1.7W
Gate charge: 57nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS2
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.