Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > P2000DL45X168HPSA1
P2000DL45X168HPSA1

P2000DL45X168HPSA1 Infineon Technologies

Infineon-P2000DL45X168-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017facf50b1340af
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 4500V 2000A P16826K-1
Packaging: Tray
Package / Case: TO-200AF
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2000A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: BG-P16826K-1
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2000 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 420 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+499873.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис P2000DL45X168HPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - P2000DL45X168HPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 2 kA, 2.25 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: 3A228.c, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.25V, IGBT-Anschluss: Anschlussdrähte, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25V, Verlustleistung Pd: -, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5kV, Dauerkollektorstrom: 2kA, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A228.c, DC-Kollektorstrom: 2kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції P2000DL45X168HPSA1 за ціною від 732137.80 грн до 1197882.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
P2000DL45X168HPSA1 P2000DL45X168HPSA1 Infineon Technologies infineonp2000dl45x168datasheetv0300en.pdf Trans IGBT Module N-CH 4500V 2KA 4-Pin Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+732137.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P2000DL45X168HPSA1 P2000DL45X168HPSA1 Infineon Technologies infineonp2000dl45x168datasheetv0300en.pdf Trans IGBT Module N-CH 4500V 2KA 4-Pin Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1197882.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P2000DL45X168HPSA1 P2000DL45X168HPSA1 INFINEON 3708158.pdf Description: INFINEON - P2000DL45X168HPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 2 kA, 2.25 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: 3A228.c
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.25V
IGBT-Anschluss: Anschlussdrähte
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5kV
Dauerkollektorstrom: 2kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
DC-Kollektorstrom: 2kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P2000DL45X168HPSA1 infineonp2000dl45x168datasheetv0300en.pdf
P2000DL45X168HPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 4500V 2KA 4-Pin Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+732137.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P2000DL45X168HPSA1 infineonp2000dl45x168datasheetv0300en.pdf
P2000DL45X168HPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 4500V 2KA 4-Pin Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1197882.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P2000DL45X168HPSA1 3708158.pdf
P2000DL45X168HPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - P2000DL45X168HPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 2 kA, 2.25 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: 3A228.c
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.25V
IGBT-Anschluss: Anschlussdrähte
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5kV
Dauerkollektorstrom: 2kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
DC-Kollektorstrom: 2kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.