P4B40HP2-5071 SHINDENGEN
Виробник: SHINDENGENCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P4B40HP2-5071 SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W, Case: FB (TO252AA), Kind of channel: enhancement, Technology: Hi-PotMOS2, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate charge: 6.5nC, On-state resistance: 1.9Ω, Drain current: 4A, Pulsed drain current: 16A, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 35W, Drain-source voltage: 400V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P4B40HP2-5071
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| P4B40HP2-5071 | Виробник : Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
||
| P4B40HP2-5071 | Виробник : SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W Case: FB (TO252AA) Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 6.5nC On-state resistance: 1.9Ω Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 400V |
товару немає в наявності |