Продукція > SHINDENGEN > P50F10SN-5600
P50F10SN-5600

P50F10SN-5600 SHINDENGEN

_Shindengen Catalogue 2020.pdf P50F10SN.pdf
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 114nC
On-state resistance: 8.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+84.84 грн
25+75.51 грн
100+67.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис P50F10SN-5600 SHINDENGEN

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W, Case: FTO-220AG (SC91), Mounting: THT, Kind of package: bulk, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 114nC, On-state resistance: 8.7mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Drain current: 50A, Drain-source voltage: 100V, Pulsed drain current: 200A, Power dissipation: 51W, Technology: EETMOS3, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції P50F10SN-5600

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
P50F10SN-5600 Shindengen shindengen_F072-13.pdf MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P50F10SN-5600 shindengen_F072-13.pdf
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.