Продукція > SHINDENGEN > P66F7R5SN-5600

P66F7R5SN-5600 SHINDENGEN


_Shindengen Catalogue 2020.pdf P66F7R5SN.pdf
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+99.35 грн
6+83.03 грн
25+73.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис P66F7R5SN-5600 SHINDENGEN

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: EETMOS3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 75V, Drain current: 66A, Pulsed drain current: 264A, Power dissipation: 51W, Case: FTO-220AG (SC91), Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 5mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 115nC, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції P66F7R5SN-5600

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
P66F7R5SN-5600 Shindengen MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P66F7R5SN-5600
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.