P6SMB33CAHM4G Taiwan Semiconductor
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1433+ | 8.17 грн |
12000+ | 7.47 грн |
24000+ | 6.94 грн |
36000+ | 6.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P6SMB33CAHM4G Taiwan Semiconductor
Category: Bidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.8A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Max. off-state voltage: 28.2V, Breakdown voltage: 33V, Max. forward impulse current: 13.8A, Semiconductor structure: bidirectional, Tolerance: ±5%, Case: SMB, Mounting: SMD, Leakage current: 1µA, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P6SMB33CAHM4G за ціною від 7.45 грн до 8.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P6SMB33CAHM4G | Виробник : Taiwan Semiconductor | TVS Diode Single Bi-Dir 28.2V 600W Automotive AEC-Q101 2-Pin SMB T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
P6SMB33CAHM4G | Виробник : Taiwan Semiconductor | TVS Diode Single Bi-Dir 28.2V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R |
товар відсутній |
||||||||
P6SMB33CAHM4G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.8A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 28.2V Breakdown voltage: 33V Max. forward impulse current: 13.8A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
P6SMB33CAHM4G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC DO214AA |
товар відсутній |
||||||||
P6SMB33CAHM4G | Виробник : Taiwan Semiconductor | ESD Suppressors / TVS Diodes 600W 33V 5% Bidirect ional TVS |
товар відсутній |
||||||||
P6SMB33CAHM4G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.8A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 28.2V Breakdown voltage: 33V Max. forward impulse current: 13.8A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |