P6SMB39A M4G

P6SMB39A M4G Taiwan Semiconductor


p6smb20series_q2209.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
TVS Diode Single Uni-Dir 33.3V 600W 2-Pin SMB T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис P6SMB39A M4G Taiwan Semiconductor

Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.6A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Max. off-state voltage: 33.3V, Breakdown voltage: 39V, Max. forward impulse current: 11.6A, Semiconductor structure: unidirectional, Tolerance: ±5%, Case: SMB, Mounting: SMD, Leakage current: 1µA, Kind of package: reel; tape, Manufacturer series: P6SMB.

Інші пропозиції P6SMB39A M4G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
P6SMB39A M4G P6SMB39A M4G Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation P6SMB%20SERIES_P2102.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39A M4G P6SMB39A M4G Виробник : Taiwan Semiconductor P6SMB_SERIES_P2102-2301975.pdf ESD Suppressors / TVS Diodes 600W 39V 5% Unidirec tional TVS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39A M4G P6SMB39A M4G Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.6A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.