Технічний опис P6SMB39A M4G Taiwan Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.6A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Max. off-state voltage: 33.3V, Breakdown voltage: 39V, Max. forward impulse current: 11.6A, Semiconductor structure: unidirectional, Tolerance: ±5%, Case: SMB, Mounting: SMD, Leakage current: 1µA, Kind of package: reel; tape, Manufacturer series: P6SMB.
Інші пропозиції P6SMB39A M4G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
P6SMB39A M4G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
P6SMB39A M4G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
P6SMB39A M4G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.6A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 33.3V Breakdown voltage: 39V Max. forward impulse current: 11.6A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: P6SMB |
товару немає в наявності |