Продукція > SHINDENGEN > P80FG6EAL-5071

P80FG6EAL-5071 Shindengen


Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис P80FG6EAL-5071 Shindengen

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 128W, Technology: EETMOS2, Kind of channel: enhancement, Case: FG (TO263AB), Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate charge: 90nC, On-state resistance: 4.9mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 80A, Power dissipation: 128W, Pulsed drain current: 320A.

Інші пропозиції P80FG6EAL-5071

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
P80FG6EAL-5071 SHINDENGEN _Shindengen Catalogue 2020.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 128W
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Case: FG (TO263AB)
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 128W
Pulsed drain current: 320A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P80FG6EAL-5071 _Shindengen Catalogue 2020.pdf
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 128W
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Case: FG (TO263AB)
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 128W
Pulsed drain current: 320A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.