Продукція > SHINDENGEN > P8B10SB-5071
P8B10SB-5071

P8B10SB-5071 SHINDENGEN

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9A710F8E1DD00C7&compId=P8B10SB.pdf?ci_sign=1817e2d165581f5ea66b7a3b24ed3abd1285f6ab pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 20W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.05 грн
25+18.43 грн
58+16.12 грн
159+15.24 грн
500+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис P8B10SB-5071 SHINDENGEN

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W, Case: FB (TO252AA), Kind of package: reel; tape, Technology: EETMOS3, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Gate charge: 16.5nC, On-state resistance: 94mΩ, Power dissipation: 20W, Drain current: 8A, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 24A, Drain-source voltage: 100V, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції P8B10SB-5071 за ціною від 17.58 грн до 28.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
P8B10SB-5071 P8B10SB-5071 Виробник : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9A710F8E1DD00C7&compId=P8B10SB.pdf?ci_sign=1817e2d165581f5ea66b7a3b24ed3abd1285f6ab pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 20W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.46 грн
25+22.97 грн
58+19.34 грн
159+18.29 грн
500+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
P8B10SB-5071 Виробник : Shindengen Electric Manufacturing Co. P8B10SB-5071
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
424+28.60 грн
500+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 424
В кошику  од. на суму  грн.