PB3506-E3/45 Vishay General Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 317.01 грн |
| 10+ | 126.59 грн |
| 100+ | 107.99 грн |
| 500+ | 103.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PB3506-E3/45 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A PB, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, PB, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: isoCINK+™ PB, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 35 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції PB3506-E3/45 за ціною від 123.74 грн до 372.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PB3506-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A PBPackaging: Tube Package / Case: 4-SIP, PB Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: isoCINK+™ PB Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 35 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 1202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|