Продукція > NEXPERIA USA INC. > PBHV2160ZX
PBHV2160ZX

PBHV2160ZX Nexperia USA Inc.

PBHV2160Z.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 600V 0.1A SOT-223
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 6mA, 30mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBHV2160ZX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PBHV2160ZX за ціною від 15.22 грн до 55.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PBHV2160ZX PBHV2160ZX Nexperia pbhv2160z.pdf Trans GP BJT NPN 600V 0.1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV2160ZX PBHV2160ZX Nexperia pbhv2160z.pdf Trans GP BJT NPN 600V 0.1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV2160ZX PBHV2160ZX Nexperia USA Inc. PBHV2160Z.pdf Description: TRANS NPN 600V 0.1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 6mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+32.76 грн
100+21.21 грн
500+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV2160ZX PBHV2160ZX Nexperia PBHV2160Z.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT223 60V .1A NPN BISS TRANS
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV2160ZX PBHV2160ZX NEXPERIA NEXP-S-A0003107946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV2160ZX PBHV2160ZX NEXPERIA NEXP-S-A0003107946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV2160ZX pbhv2160z.pdf
PBHV2160ZX
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 600V 0.1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV2160ZX pbhv2160z.pdf
PBHV2160ZX
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 600V 0.1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV2160ZX PBHV2160Z.pdf
PBHV2160ZX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 600V 0.1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 6mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.14 грн
10+32.76 грн
100+21.21 грн
500+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV2160ZX PBHV2160Z.pdf
PBHV2160ZX
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT223 60V .1A NPN BISS TRANS
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV2160ZX NEXP-S-A0003107946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBHV2160ZX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV2160ZX NEXP-S-A0003107946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBHV2160ZX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.