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Технічний опис PBHV2160ZX Nexperia
Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PBHV2160ZX за ціною від 16.62 грн до 16.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
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PBHV2160ZX | Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 600V 0.1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBHV2160ZX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
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PBHV2160ZX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PBHV2160ZX |
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Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 600V 0.1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans GP BJT NPN 600V 0.1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.62 грн |
| PBHV2160ZX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
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Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBHV2160ZX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)