PBHV8110DW_R2_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TRANS NPN 100V 1A SOT223
Power - Max: 2.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.32 грн |
| 13+ | 23.88 грн |
| 100+ | 14.89 грн |
| 500+ | 9.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBHV8110DW_R2_00001 Panjit International Inc.
Description: TRANS NPN 100V 1A SOT223, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 2.6 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-223, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).
Інші пропозиції PBHV8110DW_R2_00001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PBHV8110DW_R2_00001 | Panjit |
Bipolar Transistors - BJT NPN Low Vce(sat) Transistor |
на замовлення 1288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PBHV8110DW_R2_00001 |
|
Виробник: Panjit
Bipolar Transistors - BJT NPN Low Vce(sat) Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN Low Vce(sat) Transistor
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)