PBHV8115T,215 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - PBHV8115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 13.41 грн |
500+ | 8.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBHV8115T,215 NEXPERIA
Description: TRANS NPN 150V 1A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 300 mW.
Інші пропозиції PBHV8115T,215 за ціною від 6.54 грн до 31.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PBHV8115T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 10...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBHV8115T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 10...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBHV8115T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBHV8115T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 150V 1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 2083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBHV8115T,215 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBHV8115T/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 29988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBHV8115T,215 | Виробник : NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PBHV8115T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 150V 1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW |
товар відсутній |