PBHV8115T,215 NXP Semiconductors
на замовлення 737500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3732+ | 8.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBHV8115T,215 NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA - PBHV8115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PBHV8115T,215 за ціною від 8.09 грн до 45.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PBHV8115T,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans GP BJT NPN 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R |
на замовлення 704952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBHV8115T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBHV8115T,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT23 150V 1A NPN BISS TRANS |
на замовлення 39873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBHV8115T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBHV8115T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PBHV8115T,215 | Виробник : NEXPERIA |
PBHV8115T.215 NPN SMD transistors |
на замовлення 2918 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PBHV8115T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBHV8115T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBHV8115T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBHV8115T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW |
товару немає в наявності |