Продукція > NEXPERIA > PBHV8115T-QR

PBHV8115T-QR Nexperia


PBHV8115T-Q.pdf
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT23 150V 1A NPN HI VOLT
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+44.81 грн
12+27.22 грн
100+15.43 грн
500+11.45 грн
1000+9.71 грн
3000+8.52 грн
6000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBHV8115T-QR Nexperia

Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB, Qualification: AEC-Q101, Power - Max: 300 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Grade: Automotive, Supplier Device Package: TO-236AB, Frequency - Transition: 30MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PBHV8115T-QR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PBHV8115T-QR PBHV8115T-QR Nexperia USA Inc. PBHV8115T-Q.pdf Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115T-QR PBHV8115T-Q.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.