Продукція > NEXPERIA > PBHV8115T-QR
PBHV8115T-QR

PBHV8115T-QR NEXPERIA

2725629.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.63 грн
500+12.77 грн
1000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBHV8115T-QR NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PBHV8115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1A, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PBHV8115T-QR за ціною від 7.27 грн до 37.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBHV8115T-QR PBHV8115T-QR Виробник : NEXPERIA 2725629.pdf Description: NEXPERIA - PBHV8115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.22 грн
30+27.66 грн
100+16.63 грн
500+12.77 грн
1000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115T-QR PBHV8115T-QR Виробник : Nexperia PBHV8115T-Q.pdf Bipolar Transistors - BJT PBHV8115T-Q/SOT23/TO-236AB
на замовлення 6315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.42 грн
13+28.11 грн
100+14.68 грн
1000+9.83 грн
3000+9.54 грн
9000+7.56 грн
24000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115T-QR PBHV8115T-QR Виробник : NEXPERIA pbhv8115t.pdf Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115T-QR PBHV8115T-QR Виробник : Nexperia pbhv8115t.pdf Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115T-QR Виробник : NEXPERIA PBHV8115T-Q.pdf PBHV8115T-QR NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115T-QR PBHV8115T-QR Виробник : Nexperia USA Inc. PBHV8115T-Q.pdf Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.