Продукція > NEXPERIA > PBHV8115Z,115
PBHV8115Z,115

PBHV8115Z,115 Nexperia

PBHV8115Z.pdf
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT223 150V NPN HIVOLT VCE BJT
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+52.55 грн
10+32.68 грн
100+18.99 грн
500+15.01 грн
1000+13.20 грн
2000+11.80 грн
5000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBHV8115Z,115 Nexperia

Description: TRANS NPN 150V 1A SOT-223, Qualification: AEC-Q100, Grade: Automotive, Power - Max: 1.4 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-223, Frequency - Transition: 30MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PBHV8115Z,115 за ціною від 13.13 грн до 62.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 Nexperia USA Inc. PBHV8115Z.pdf Description: TRANS NPN 150V 1A SOT-223
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.06 грн
10+37.29 грн
100+24.15 грн
500+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115Z,115 NXP/Nexperia/We-En PBHV8115Z.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,4, Uceo, В = 150, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 30, hFE = 50 @ 500 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,35 @ 200 мА, 1 А, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-323 Очікується: 10 Од. ви
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115Z,115 PBHV8115Z.pdf
PBHV8115Z,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 150V 1A SOT-223
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+62.06 грн
10+37.29 грн
100+24.15 грн
500+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115Z,115 PBHV8115Z.pdf
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,4, Uceo, В = 150, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 30, hFE = 50 @ 500 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,35 @ 200 мА, 1 А, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-323 Очікується: 10 Од. ви
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.