Продукція > NEXPERIA > PBHV8115Z,115
PBHV8115Z,115

PBHV8115Z,115 Nexperia

pbhv8115z.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
57+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 57 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBHV8115Z,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PBHV8115Z,115 за ціною від 11.65 грн до 13.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 Nexperia pbhv8115z.pdf Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1051+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 1051 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 Nexperia pbhv8115z.pdf Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+13.97 грн
100+13.38 грн
250+12.31 грн
500+11.74 грн
1000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 Nexperia pbhv8115z.pdf Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1013+13.97 грн
1020+13.88 грн
1026+13.79 грн
1034+13.20 грн
1041+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 1013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 NEXPERIA 3205166.pdf Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 NEXPERIA 3205166.pdf Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115Z,115 NXP/Nexperia/We-En PBHV8115Z.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,4, Uceo, В = 150, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 30, hFE = 50 @ 500 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,35 @ 200 мА, 1 А, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-323 Очікується: 10 Од. ви
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
1000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115Z,115 pbhv8115z.pdf
PBHV8115Z,115
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1051+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 1051 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115Z,115 pbhv8115z.pdf
PBHV8115Z,115
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
54+13.97 грн
100+13.38 грн
250+12.31 грн
500+11.74 грн
1000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115Z,115 pbhv8115z.pdf
PBHV8115Z,115
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1013+13.97 грн
1020+13.88 грн
1026+13.79 грн
1034+13.20 грн
1041+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 1013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115Z,115 3205166.pdf
PBHV8115Z,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115Z,115 3205166.pdf
PBHV8115Z,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8115Z,115 PBHV8115Z.pdf
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,4, Uceo, В = 150, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 30, hFE = 50 @ 500 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,35 @ 200 мА, 1 А, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-323 Очікується: 10 Од. ви
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.