
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
57+ | 10.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBHV8115Z,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PBHV8115Z,115 за ціною від 9.29 грн до 62.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PBHV8115Z,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PBHV8115Z,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PBHV8115Z,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PBHV8115Z,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PBHV8115Z,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PBHV8115Z,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SC73,SOT223 Case: SC73; SOT223 Frequency: 30MHz Collector-emitter voltage: 150V Current gain: 100...250 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PBHV8115Z,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PBHV8115Z,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SC73,SOT223 Case: SC73; SOT223 Frequency: 30MHz Collector-emitter voltage: 150V Current gain: 100...250 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 983 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PBHV8115Z,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.4 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 1017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PBHV8115Z,115 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
![]() |
на замовлення 314 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
PBHV8115Z,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
PBHV8115Z,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
PBHV8115Z,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.4 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |