Технічний опис PBHV8115Z,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PBHV8115Z,115 за ціною від 10.41 грн до 62.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBHV8115Z,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBHV8115Z,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBHV8115Z,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBHV8115Z,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBHV8115Z,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBHV8115Z,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT223 150V NPN HIVOLT VCE BJT |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBHV8115Z,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 150V 1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.4 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 1017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PBHV8115Z,115 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,4, Uceo, В = 150, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 30, hFE = 50 @ 500 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,35 @ 200 мА, 1 А, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 314 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
PBHV8115Z,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PBHV8115Z,115 | Виробник : NXP |
NPN 1A 150V TO-261 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
PBHV8115Z,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 150V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.4 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |