Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBHV8115Z,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PBHV8115Z,115 за ціною від 11.58 грн до 60.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PBHV8115Z,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PBHV8115Z,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PBHV8115Z,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PBHV8115Z,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 150V 1A SOT-223Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Power - Max: 1.4 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223 Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PBHV8115Z,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PBHV8115Z,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBHV8115Z,115 | NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,4, Uceo, В = 150, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 30, hFE = 50 @ 500 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,35 @ 200 мА, 1 А, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-323 Очікується: 10 Од. викількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 314 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| PBHV8115Z,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1051+ | 13.37 грн |
| PBHV8115Z,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 13.88 грн |
| 100+ | 13.29 грн |
| 250+ | 12.23 грн |
| 500+ | 11.66 грн |
| 1000+ | 11.58 грн |
| PBHV8115Z,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1013+ | 13.88 грн |
| 1020+ | 13.79 грн |
| 1026+ | 13.69 грн |
| 1034+ | 13.11 грн |
| 1041+ | 12.06 грн |
| PBHV8115Z,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 150V 1A SOT-223
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 150V 1A SOT-223
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.81 грн |
| 10+ | 36.54 грн |
| 100+ | 23.66 грн |
| 500+ | 16.98 грн |
| PBHV8115Z,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBHV8115Z,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBHV8115Z,115 |
![]() |
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,4, Uceo, В = 150, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 30, hFE = 50 @ 500 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,35 @ 200 мА, 1 А, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-323 Очікується: 10 Од. ви
кількість в упаковці: 1000 шт
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,4, Uceo, В = 150, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 30, hFE = 50 @ 500 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,35 @ 200 мА, 1 А, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-323 Очікується: 10 Од. ви
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 13.13 грн |





