Продукція > NEXPERIA > PBHV8118T,215
PBHV8118T,215

PBHV8118T,215 NEXPERIA


NEXP-S-A0002934953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8118T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 1 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.09 грн
500+8.41 грн
1500+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBHV8118T,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PBHV8118T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 1 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PBHV8118T,215 за ціною від 6.68 грн до 43.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBHV8118T,215 PBHV8118T,215 Виробник : Nexperia PBHV8118T-2937969.pdf Bipolar Transistors - BJT PBHV8118T/SOT23/TO-236AB
на замовлення 23266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.89 грн
19+18.40 грн
100+10.42 грн
1000+8.66 грн
3000+7.19 грн
9000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8118T,215 PBHV8118T,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002934953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBHV8118T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 1 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+26.92 грн
50+20.09 грн
100+13.09 грн
500+8.41 грн
1500+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8118T,215 PBHV8118T,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PBHV8118T.pdf Description: TRANS NPN 180V 1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 50mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.66 грн
12+26.30 грн
100+16.77 грн
500+11.88 грн
1000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8118T,215 PBHV8118T,215 Виробник : NEXPERIA 1541140833509958pbhv8118t.pdf Trans GP BJT NPN 180V 1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8118T,215 PBHV8118T,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PBHV8118T.pdf Description: TRANS NPN 180V 1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 50mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.