Продукція > NXP > PBHV8215Z,115
PBHV8215Z,115

PBHV8215Z,115 NXP

PBHV8215Z.pdf
Виробник: NXP
NPN 2A 150V SOT-223 Транзистори
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBHV8215Z,115 NXP

Description: NEXPERIA - PBHV8215Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 2 A, 730 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 33MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PBHV8215Z,115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PBHV8215Z,115 PBHV8215Z,115 Nexperia PBHV8215Z.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT223 150V NPN HIVOLT VCE BJT
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8215Z,115 PBHV8215Z,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002881015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBHV8215Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 2 A, 730 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 33MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8215Z,115 PBHV8215Z,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002881015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBHV8215Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 2 A, 730 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 33MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8215Z,115 PBHV8215Z.pdf
PBHV8215Z,115
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT223 150V NPN HIVOLT VCE BJT
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8215Z,115 NEXP-S-A0002881015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBHV8215Z,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8215Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 2 A, 730 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 33MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8215Z,115 NEXP-S-A0002881015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBHV8215Z,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8215Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 2 A, 730 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 33MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.