
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 41.53 грн |
13+ | 27.68 грн |
100+ | 16.29 грн |
500+ | 12.77 грн |
1000+ | 10.57 грн |
5000+ | 9.32 грн |
10000+ | 8.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBHV8515QAZ Nexperia
Description: TRANS NPN 150V 0.5A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 10V, Frequency - Transition: 75MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 325 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PBHV8515QAZ за ціною від 10.37 грн до 46.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PBHV8515QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 10V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 325 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
PBHV8515QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
PBHV8515QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
PBHV8515QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
PBHV8515QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
PBHV8515QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 10V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 325 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |